Quanta Materials

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제품소개

퀀타머티리얼스는 나노 소재 제조 전문 기업입니다.

  • 산화갈륨 분말
  • 산화주석 분말
  • 산화인듐 분말

퀀타머티리얼스의 산화 나노 분말은 고온 증발법으로 제조되어 비표면적이 크고, 분산성이 우수한 저응집 나노 분말로 제품의 크기 산포가 적으며, 고결정성, 고순도의 특징을 가지고 있습니다.

원료 분말 품질은 소결을 통한 산화물 타겟 제조 시 타겟의 사용품질에 직접적인 영향을 줄 수 있습니다. 우리의 산화 나노 분말은 고품질의 산화물 스퍼터링용 타겟을 생산하기 위한 최적화된 원료이며 특히 벌크화(소결)시에도 큰 장점이 됩니다.

기상법으로 제조된 제품군들은 고분산성으로 소결된 산화물 타겟의 조성 균질성을 쉽게 확보할 수 있게 도와주며, 고결정성은 습식법에서 간혹 발생할 수 있는 미반응물이 없어 소결 후 신뢰성 있는 소결 밀도 확보에 도움을 줄 수 있습니다.

또한 본 산화물 분말들이 가진 고분산성과 높은 비표면적은 반응성 및 응답성이 뛰어나 센서, 촉매 등의 기능성 소재로의 적용에 매우 유리합니다. 높은 기술력의 User들은 조성설계를 통해 광기능성 부품, 즉 산화물 반도체, 광센서 등에 소재 내 균질성을 부여하도록 본 분말의 특성을 활용할 수 있어서 광전자 특성을 신뢰성 있게 제조 공급할 수 있습니다.

V-Ga2O3

고품질의 IGZO 타겟을 만들기 위한 원료로서 균질한 미세구조 및 높은 생산성이 부여될 수 있게 설계됨.

응용 : IGZO 타겟, 촉매제, 파워 디바이스 웨이퍼

고온증발법을 활용한 산화 나노분말 제조 공법으로 기존 습식공법 대비 품질(저응집, 초미세, 고순도), 원가(1/3 이상 절감), 생산성(공정시간 20%이상 단축)면에서 사업 경쟁력을 가지고 있음.

비표면적8~15 ㎡/g

입자크기

입자크기
D/10 D/50 D/90
Size(㎛) < 0.2 < 0.5 < 1.5

순도

순도
내용물
Al, As, Bi, Ca, Cd, Co, Cr, CU, Fe, K, Mg,
Mn, Ni, P, Pb, Sb, Si, Sn, Ti, W, Zn, Zr
< 10ppm
합계 < 50ppm

특성

  • 저응집(기상합성법)
  • 고결정성
  • 200㎚
  • 100㎚

X-SnO2

ITO 타겟에 최적화 된 재료로서 높은 분산성과 비표면적을 가지고 ITO 타겟 뿐만 아니라 여러 분야에 응용이 가능한 재료임.

응용 : ITO 타겟, 촉매제, 정화제

고온증발법을 활용한 산화 나노분말 제조 공법으로 제조되었으며 균질한 크기와 품질을 가짐. 다양한 제품군으로 활용이 가능함.

비표면적8~12 ㎡/g

입자크기

입자크기
D/10 D/50 D/90
Size(㎛) < 0.2 < 0.5 < 1.5

순도

순도
내용물
Al, As, Bi, Ca, Cd, Co, Cr, CU, Fe, K, Mg,
Mn, Ni, P, Pb, Sb, Si, Sn, Ti, W, Zn, Zr
< 10ppm
합계 < 100ppm

특성

  • 저응집(기상합성법)
  • 작은 입자 크기 및 좁은 분포
  • 200㎚
  • 100㎚

R-In2O3

우수한 분상성을 가져 응집체 발생이 적어 기존과는 차별화되며, 타겟의 사용불량 요소 중 하나인 노듈의 발생률을 줄이고 고밀도용 타겟 소결에 적절한 입자 형태 및 크기를 나타냄.

응용 : ITO 타겟, IGZO 타겟

고온증발법을 활용한 산화 나노분말 제조 공법으로 분산성이 우수하여 응집체가 적고 높은 고결정성을 가지고 있음. 고품질의 ITO 타겟 생산을 위한 최적화된 산화물 나노 분말임.

비표면적8~15 ㎡/g

입자크기

입자크기
D/10 D/50 D/90
Size(㎛) < 0.2 < 0.5 < 1.5

순도

순도
내용물
Al, As, Bi, Ca, Cd, Co, Cr, CU, Fe, K, Mg,
Mn, Ni, P, Pb, Sb, Si, Sn, Ti, W, Zn, Zr
< 10ppm
합계 < 50ppm

특성

  • 저응집(기상합성법)
  • 고결정성
  • 200㎚
  • 100㎚

프로세스

기상합성법

  • 저비용 고효율
  • 고결정성 및 저응집
  • STEP.01

    금속 액적

  • STEP.02

    고온증발

  • STEP.03

    산화물 생성